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用于硅、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測量，除需要有一個(gè)測量平面外，對樣塊 體形無嚴(yán)格要求，可測塊狀和片狀單晶壽命。壽命測量可靈敏地反映單晶體 內(nèi)重金屬雜質(zhì)污染及缺陷存在的情況，是單晶質(zhì)量的重要檢測項(xiàng)目。