SC95F8517 超高速1T 8051內(nèi)核Flash MCU ，32 KB Flash ，4 KB SRAM，1 KB獨(dú)立EEPROM，31路雙模觸控電路，12位1M高速ADC，1個(gè)模擬比較器，LCD/LED Driver，12位PWM，5個(gè)定時(shí)器，乘除法器，UART，USCI ，CRC校驗(yàn)?zāi)�塊 工作條件 l 寬電壓工作范圍：2.0V~5.5V. l 工業(yè)級(jí)工作溫度： -40℃ ~ +105℃. 抗干擾能力 l ESD 6KV l EFT 4KV 封裝類型 l 48 PIN: LQFP48 (7X7) / QFN48 (7X7) CPU l 超高速1T 8051內(nèi)核， 指令集全兼容8051，執(zhí)行速度約為其它1T 8051的2倍 l 雙數(shù)據(jù)指針（DPTRs） 存儲(chǔ) l 32 Kbytes Flash ROM n 分為64個(gè)扇區(qū)（sector），每個(gè)sector 為512 bytes n 可反復(fù)寫(xiě)入10萬(wàn)次 n 25℃環(huán)境下數(shù)據(jù)可保存100年以上 l IAP (In Application Programming)：可通過(guò)Code Option設(shè)置項(xiàng)將Flash允許IAP操作的范圍設(shè)為K l 代碼加密：可對(duì)Flash加密，確保程序代碼無(wú)法被讀出 l BootLoader：內(nèi)置1 Kbytes LDROM與EEPROM共用，IC出廠時(shí)已燒入BootLoader引導(dǎo)代碼（boot code） l EEPROM：內(nèi)置1 Kbytes EEPROM與LDROM共用，可作為獨(dú)立的存儲(chǔ)區(qū)域 l Unique ID： 96 bits Unique ID，存放IC的唯一識(shí)別碼 l SRAM： n 內(nèi)部256 bytes 片內(nèi)直接存取RAM n 4 Kbytes外部RAM+PWM&LCD RAM 80 bytes片內(nèi)間接存取RAM(XRAM)通過(guò)MOVX指令讀寫(xiě) 燒錄仿真 l 2線JTAG燒寫(xiě)、仿真接口，支持帶電仿真 l 量產(chǎn)燒錄：3s內(nèi)可完成32 Kbytes Flash ROM的燒錄（含校驗(yàn)） 時(shí)鐘源 l 內(nèi)建高頻 32MHz 振蕩器（HRC） n IC的系統(tǒng)時(shí)鐘頻率（fSYS），可通過(guò)編程器選擇設(shè)定為MHz n 跨越 (2.0V~5.5V) 及 (-40 ~ 105℃) 應(yīng)用環(huán)境，頻率誤差不超過(guò) ±2% l 內(nèi)置低頻晶體振蕩器電路：可外接32k振蕩器，作為Base Timer 時(shí)鐘源 l 內(nèi)建低頻 32kHz 振蕩器 (LRC)：作為Base Timer及WDT的時(shí)鐘源 低電壓復(fù)位（LVR） l 復(fù)位電壓有4級(jí)可選9/1.9V，缺省值為用戶Code Option所選值 電源管理 l Normal Mode：程序和HRC正常運(yùn)行，電流功耗低至5.2mA (VDD=5V, fSYS=32MHz) l IDLE Mode：程序停止運(yùn)行，電流功耗低至2.5mA (VDD=5V)，可由任何中斷喚醒 l STOP Mode：HRC停振，電流功耗低至2μA (VDD=5V)，可由 INT0~2、Base Timer和TK喚醒