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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產(chǎn)品；封裝后的IGBT模塊直接應用于變頻器、UPS不間斷電源等設備上；

IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點；當前市場上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品，一般所說的IGBT也指IGBT模塊；隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進，此類產(chǎn)品在市場上將越來越多見；

IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷�，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。

部分型號：

ANTA0HC12451WLAN2

TMPC0603H-5R6MG-D

L6565

LP8557IAYFQR

IXFX90N60X TO-247

GT-14088

IPP075N15N3G PG-T0-220-3

CR0402FF14R0G

S1J-E3/61T

BLM15PD300SN1D

DC03000L20Q

75MHZ-CFPS-73IB

SM4331PSKC-TRG

AS5510-DSOM AMS

RTL8231-GR

DW01A

HM3400

RK73H2ATTD3013F

0CSCN015012N

ENFPA9C5F26

TLV5625ID

SAFFB1G56AC0F0A

ACA-SPI-006-T01

ANTA0DC09362WLAN1

28K64B-900N5

C0F-01

IC-TDA2003

CR0402FF29R4G

STM32F030F4P6 

LM25085AMME/NOPB LM25085MY/NOPB

KQ0805TTE68NG

NC7SZ125L6X

PF8BFMAD20AA

000011T00

SI51218-A1EAGMR

SG-72640-XUA

RC0603FR-0712KL

DS1721U+T&R

GRM0335C1E4R7CA01D

SA00007OG1S

DC02C00FT00

DC330021F1L

GA00000OR0L

AD5062BRJZ-1500RL7 AD5062BRJZ-2500RL7