FF100R12RT4

技術(shù)參數(shù)：

• Ic(A),Tc=80℃        100

• Vce(sat),Max(V)        2.15

• Ton(us)               0.15

• Toff(us)               0.4

• Rth(j-c),K/W        0.27

• Pc(W)               555

• 封裝                  34mm

• 電路結(jié)構(gòu)               半橋

性能概要：

• 提高工作溫度TVJ op

• 低開關(guān)損耗

• 低V（CESAT）

• T（VJ OP）=150℃

• V（CESAT）具有正溫度系數(shù)

• 隔離底板

• 標(biāo)準(zhǔn)封裝

優(yōu)點(diǎn)：

• 靈活性

• 電氣性能

• 可靠性

目標(biāo)應(yīng)用：

• 電機(jī)控制和驅(qū)動

• 太陽能系統(tǒng)解決方案

對于完整的太陽能電力解決方案的主導(dǎo)產(chǎn)品

• 不間斷電源（UPS）

• 商業(yè)，農(nóng)業(yè)和工程車輛（CAV）

• 感應(yīng)加熱

• 工業(yè)焊接

FF100R12RT4是英飛凌EconoDUAL™系列IGBT模塊，具有溝槽結(jié)構(gòu)，并通過在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個n型摻雜附加層，這個附加層被稱為電場終止（fieldstop），這樣結(jié)合了 PT 和 NPT 技術(shù)的優(yōu)勢。該技術(shù)可使靜態(tài)和動態(tài)損耗減至最小，加上 IGBT3 具有更高電流密度，它還可擴(kuò)展系列產(chǎn)品的功率范圍。硅片結(jié)溫可高達(dá)175℃，運(yùn)行溫度可達(dá)150℃。低損耗，F(xiàn)F100R12RT4 IGBT模塊具有低EMI噪聲，高可靠性，高運(yùn)行結(jié)溫等優(yōu)點(diǎn)。主要應(yīng)用在100KW光伏逆變器，電機(jī)驅(qū)動，電源等領(lǐng)域。