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AP15N06 NMOS SOT89 低內阻

  • 發(fā)布時間:2024-03-02 00:00:00,加入時間:2023年03月25日(距今898天)
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Super Low Gate Charge
Green Device Available
Excellent Cdv/dt effect decline
Advanced high cell density Trench
technology

Description​


The 15N06is the highestperformance trench N-
ch MOSFETs with extreme high cell density,
which provide excellent RDSON and gate charge
for most of the synchronous buck converter
applications .
The meet the RoHS and Green Product
requirement, 100% EAS guaranteed with full
function reliability approved.

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