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華大電子MCU 嵌入式閃存及中斷和事件

  • 發(fā)布時間:2023-06-09 13:43:22,加入時間:2021年07月05日(距今1524天)
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1.嵌入式閃存

1.1模塊介紹

CIU32M010、CIU32M030 集成了嵌入式 FLASH 控制模塊,該模塊控制 FLASH 的擦除、編程以及讀取數(shù)據(jù)。上電時會從 FLASH 中讀取相關(guān)數(shù)據(jù)進行校驗以及初始化配置,保證芯片程序在正確且安全的情況下運行。

1.2功能特點

• 支持高達 64K 主閃存空間的 FLASH

• 存儲器結(jié)構(gòu)

– 主閃存空間 64K 字節(jié)

– 副閃存空間 4.5K 字節(jié)

• 指出對閃存空間的擦寫、編程和讀操作

• 支持對閃存空間訪問限制和擦寫保護

• 支持低功耗模式

1.3功能說明

1.3.1.閃存讀保護

讀操作在整個芯片工作電壓范圍內(nèi)都可以完成,用于存放指令或者數(shù)據(jù)。

當 NVR8 用戶配置區(qū)經(jīng)過自定義的保護配置后,SWD 連接時會對 FLASH 的代碼數(shù)據(jù)執(zhí)行保護機制。

注:FLASH 運行在 24MHz 工作頻率,當系統(tǒng)時鐘超過 30MHz 時,需要配置 TIMER_REG0 的 RC 參數(shù),增加時鐘周期數(shù)再把 FLASH 接口的數(shù)據(jù)寫到寄存器。

1.3.2.閃存擦除和燒寫操作

燒寫和擦除操作在整個芯片工作電壓范圍內(nèi)都可以完成。

燒寫和擦除操作由下列 6 個寄存器完成,先根據(jù)燒寫的時鐘配置好燒寫時序(TIME_REG1),再配置燒寫密碼,配置好編程地址,最后配置好編程數(shù)據(jù),即可開始執(zhí)行燒寫,然后等待操作結(jié)束。

燒寫操作相關(guān)寄存器

• 時序寄存器 1 :TIME_REG1

• 密碼寄存器 :NVR_PASSWORD/MAIN_PASSWORD

• 編程地址寄存器:PROG_ADDR

• 編程數(shù)據(jù)寄存器:PROG_DATA

• 狀態(tài)寄存器 :DONE

擦除操作相關(guān)寄存器:

• 擦除控制寄存器:ERASE_CTRL

注:需要注意的是,F(xiàn)LASH 在擦除/燒寫的同時不可以從 FLASH 取數(shù)據(jù),所以 FLASH 在擦除/燒寫過程中會讓總線停頓,直到完成后才能繼續(xù)運行

1.4模塊框圖

1.5NVR8 閃存用戶配置區(qū)

副閃存 NVR8 最后 64byte 為用戶配置區(qū),邏輯地址區(qū)間:0x0001_11C0-0x0001_11FF,該區(qū)域的配置數(shù)據(jù)需要在程序燒寫階段燒寫,芯片正常上電后這些信息為只讀。

2.中斷和事件(INT/EVT)

2.1嵌套向量中斷控制器

• 中斷都可屏蔽(除了 NMI)

• 4 個可編程的優(yōu)先等級

• 低延遲的異常和中斷處理

• 電源管理控制

• 系統(tǒng)控制寄存器的實現(xiàn) 

嵌套向量中斷控制器(NVIC)和處理器核的接口緊密相連,可以實現(xiàn)低延遲的中斷處理和高效地處理晚到的中斷。

2.2系統(tǒng)滴答(SysTick)校準值寄存器

本芯片支持系統(tǒng)滴答計時。

2.3中斷功能描述

處理器和嵌套式矢量型中斷控制器(NVIC)在處理(Handler)模式下對所有異常進行優(yōu)先級區(qū)分以及處理。當異常發(fā)生時,系統(tǒng)自動將當前處理器工作狀態(tài)壓棧,在執(zhí)行完中斷服務(wù)子程序 (ISR)后自動將其出棧。

取向量是和當前工作態(tài)壓棧并行進行的,從而提高了中斷入口效率。處理器支持咬尾中斷,可實現(xiàn)背靠背中斷,大大削減了反復(fù)切換工作態(tài)所帶來的開銷。

2.4外部中斷/事件控制器(EXTI)

外部中斷/事件控制器包含 44 個產(chǎn)生中斷/事件觸發(fā)的邊沿檢測電路,每條輸入線可以獨立地配置觸發(fā)事件類型(上升沿或下降沿或者雙邊沿都觸發(fā))。每條輸入線都可以獨立地被屏蔽,掛起寄存器保持著狀態(tài)線的中斷請求,可通過對掛起的寄存器對應(yīng)位寫“1”清除中斷請求。

2.4.1主要特征

EXTI 控制器的主要特性如下

• 每個中斷/事件都有獨立的觸發(fā)和屏蔽

• 每個中斷線都有專用的狀態(tài)位

• 支持多達 44 個軟件中斷/事件請求

• 支持上升沿、下降沿和雙邊沿 3 種觸發(fā)事件類型

2.4.2喚醒事件管理

CIU32M010、CIU32M030 可以處理外部或內(nèi)部事件來喚醒內(nèi)核(WFE)。喚醒事件可以通過下述配置產(chǎn)生:

外設(shè)的控制寄存器使能一個中斷,但不在 NVIC 中使能,同時在 CPU 的系統(tǒng)控制寄存器中使能SEVONPEND 位。當 CPU 從 WFE 恢復(fù)后,需要清除相應(yīng)外設(shè)的中斷掛起位和外設(shè) NVIC 中斷通道掛起位(在 NVIC 中斷清除掛起寄存器中)。

配置一個外部或內(nèi)部 EXTI 線為事件模式,當 CPU 從 WFE 恢復(fù)后,因為對應(yīng)事件線的掛起位沒有被置位,不必清除相應(yīng)外設(shè)的中斷掛起位或 NVIC 中斷通道掛起位。

沈陽芯碩科技有限公司是華大電子專業(yè)代理商,有技術(shù)問題可咨詢我們

華大電子MCU 嵌入式閃存及中斷和事件

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