| 碳化硅 MOSFET | 電壓 | 電流 | 阻抗 | 驅(qū)動(dòng)電壓 | 封裝外形 |
| C2M0160120D | 1200V | 19A | 160mΩ | 20V | TO247-3 |
特征描述
采用超快體二極管，Qrr極低
650V 擊穿電壓
相較于競品，開關(guān)損耗顯著降低
RDS(on)的溫度依賴性極低
優(yōu)勢
出色的硬換向穩(wěn)健性
總線電壓提高，為設(shè)計(jì)提供額外安全裕度
可實(shí)現(xiàn)更高的功率密度
可在工業(yè)開關(guān)電源 (SMPS) 應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)卓越輕載效率
可在工業(yè)開關(guān)電源 (SMPS) 應(yīng)用中提高滿載效率
相較于市面上的替代產(chǎn)品，價(jià)格更具競爭力
應(yīng)用領(lǐng)域
電動(dòng)汽車快速充電
電信基礎(chǔ)設(shè)施
服務(wù)器電源
太陽能系統(tǒng)解決方案
