8MB08SF04
• 單電壓讀寫操作–2.7-3.6V•串行接口結構–SPI兼容：模式0和模式3
• 高速時鐘頻率
• 低功耗：–主動讀電流：320 mA（典型）–待機電流：160μA（典型）
• 靈活擦除能力–均勻4 kbyte扇區(qū)–均勻32 kbyte覆蓋Ay塊–統(tǒng)一的64 kbyte疊加塊
• 快速擦除和字節(jié)程序：–芯片擦除時間：35 ms（典型）–扇區(qū)/塊擦除時間：18 ms（典型）–字節(jié)程序時間：7μs（典型）
• 自動地址增量（AAI）字程序–通過字節(jié)程序操作減少芯片編程總時間
• 寫入結束檢測–軟件在狀態(tài)寄存器中輪詢忙位–在so pin上讀取忙狀態(tài)
• hold pin（hold）–在不取消選擇設備的情況下暫停對內存的串行序列
• 寫保護（wp）–啟用/禁用狀態(tài)寄存器的鎖定功能
• 軟件寫保護–通過狀態(tài)寄存器中的塊保護位進行寫保護
• 終端鍍金
• 設計用于高溫應用程序讀/寫溫度：-55攝氏度，+175攝氏度（200攝氏度應用程序請致電工廠）。
• 175攝氏度下的預期壽命為2000小時
