CJ4459結(jié)合了先進的溝道 MOSFET 技術(shù)和低電阻封裝，提供極低的 RDS (ON)。該設(shè)備是負載開關(guān)和電池保護應(yīng)用的理想選擇。

參數(shù)符號值單排水源電壓 VDS-30 VGate-Source 電壓 VGS ± 20 V 連續(xù)排水源電流 ID-5.0 APulsed 排水電流(注1) IDM-30 APulsed 排水電流(注2) PD 0.35 WW 熱阻(t ≤10s)(注2) RθJA 357 ° C/WOperation 結(jié)和存儲溫度范圍 TJ，TSTG -55 ~ 150 ° C