射頻電容|微波電容在耦合上的應(yīng)用

耦合和隔直電路中的電容作用是把射頻能量從電路的一部分轉(zhuǎn)移到另一部分，電容接法是串聯(lián)。理論上，所有電容都能隔直。但是，要想實(shí)現(xiàn)大效率的射頻能量傳遞，必須選擇合適的耦合電容。

  連接于信號(hào)源和信號(hào)處理器電路或兩級(jí)放大器之間，用以隔斷直流電，讓交流或脈動(dòng)信號(hào)通過，使相鄰的放大器直流工作點(diǎn)互不影響。

  耦合電容器就是用于耦合作用的電容器，耦合電容器的作用是將前級(jí)信號(hào)盡可能無損失的加到后級(jí)電路中，同時(shí)去掉不需要的直流信號(hào)。

 射頻電容|微波電容射頻微波電容器大量使用于兩級(jí)放大器之間，所以又稱為級(jí)間耦合電容。

  射頻微波電路中耦合位置要求電容在載波頻率范圍內(nèi)擁有小的阻抗。電容器在自串聯(lián)諧振頻率下阻抗小，Z=ESR。

射頻級(jí)間耦合電路

  射頻級(jí)間耦合電容器需要重點(diǎn)關(guān)注以下參數(shù)：

1.根據(jù)傳輸信號(hào)頻率選擇電容器，使輸出的信號(hào)頻率處在電容器的串聯(lián)諧振頻率（FSR）±100MHz范圍內(nèi)，越接近FSR越好，F(xiàn)SR可以從說明書串聯(lián)諧振曲線中找到。

2.根據(jù)耦合電容器使用位置的電路電壓要求，選擇合適尺寸相對(duì)應(yīng)系列的電容器，如DLC70A470GW151XT、DLC70B200GW501XT、FSR大約2GHz，額定電壓分別為150V和500V。

3.傳輸信號(hào)頻率范圍內(nèi)電容器的ESR越小越好，一般要求小于0.1歐姆。

4.傳輸信號(hào)的頻率要遠(yuǎn)離電容器的第一諧振頻率FPR。

耦合應(yīng)用分析

  客戶使用頻率1.03GHz-1.15GHz，采用DLC70B100pF電容器用于耦合，輸出功率下降30%。

  70B 100pF電容阻抗分析，使用E4981A阻抗分析儀測(cè)試，其阻抗特性如下：

  FSR（第一串聯(lián)諧振頻率）：860MHz

  FPR（第一并聯(lián)諧振頻率）：1190MHz

結(jié)論Fab頻帶ESR小（<0.1歐姆）可用于耦合；

Fcd頻帶ESR急劇升高，不適用于耦合；

70B100pF電容器S21曲線得出

FPR第一并聯(lián)諧振頻率M1=1.15GHz，此時(shí)插損明顯變大。

電容器使用頻率M2=1.10GHz頻率以下，S21低于0.1dB。

客戶使用頻率1.03GHz-1.15GHz，剛好位于M1和M2之間，插損逐漸變大，導(dǎo)致功率輸出隨頻率升高而快速下降。

射頻電容|微波電容 綜上，選擇級(jí)間耦合電容必須首先關(guān)注電容器的第一并聯(lián)諧振頻率FPR。