描述

GR8853A是一種高壓、高速、自振蕩功率MOSFET和IGBT驅(qū)動器，具有高側(cè)和低側(cè)參考輸出通道。 專有HVIC和閂鎖免疫CMOS技術(shù)使堅固的單片結(jié)構(gòu)成為可能。 前端有一個類似于555計時器的可編程振蕩器。 輸出驅(qū)動器具有高脈沖電流緩沖級和內(nèi)部死機時間，旨在實現(xiàn)最小的驅(qū)動器交叉?zhèn)鲗А?/p>

兩個通道的傳播延遲匹配，以簡化50%占空比應用中的使用。 浮動通道可用于驅(qū)動高側(cè)配置的N-MOSFET或IGBT，該配置在高達600伏的高壓導軌上運行。

特點

•為+600V的引導操作設計的浮動通道

•瞬態(tài)電壓的噪聲抗性

•欠壓鎖定

•可編程振蕩器頻率

•兩個通道的匹配傳播延遲

•75uA的超低啟動電流

•關(guān)機功能關(guān)閉兩個通道

•與Ry相位的低側(cè)輸出

應用

•HID燈鎮(zhèn)流器

•PDP維持驅(qū)動

• 電機驅(qū)動器

• SMPS