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和運行。

在多款充電芯片中，小米自研的澎湃P1芯片以其率脫穎而出。

作為業(yè)界諧振充電芯片，澎湃P1擁有自適應(yīng)開關(guān)的4:1超率架構(gòu)。其諧振拓撲效率高達97.5%，非諧振拓撲效率

為96.8%，熱損耗直線下降30%。此外，它還具有0.83Wmm2的超高功率密度和業(yè)界的超低1.18mΩmm2 RSP。這款芯片被

用于小米12 Pro手機中，實現(xiàn)了行業(yè)的“120W單電芯”充電技術(shù)，填補了該領(lǐng)域的空白。

請注意，充電芯片的效率可能受到多種因素的影響，包括電路設(shè)計、電池類型、充電速度等。因此，在選擇充電芯片時，除

了效率，還需要綜合考慮其他因素，如安全性、性和成本等。