Asymmetric Gate turn-offThyristor
5SGA 30J4502
VDRM = 4500 V
ITGQM = 3000 A
ITSM = 24×103 A
VT0 = 2.2 V
rT = 0.6 mΩ
VDcb = 2800 V
•自由浮動硅技術(shù)
•低導通狀態(tài)和開關損耗
•環(huán)形柵電極
•行業(yè)標準外殼
•抗宇宙輻射等級
門極可關斷晶閘管（GTO）的生產(chǎn)始于19世紀80年代中期。GTO是晶閘管的其中一種，可以通過門極施加反向電流使其關斷。GTO 的生產(chǎn)始于 20 世紀 80 年代中期。GTO 是一種晶閘管，向門級反向施加電流便可關斷，反之則導通。
GTO 經(jīng)過優(yōu)化，傳導損耗很低。對于大多數(shù)應用，典型的開關頻率在 200 - 500 赫茲范圍內(nèi)。GTO 本質(zhì)上是相對較慢的開關。從開到關的典型轉(zhuǎn)換時間在 10 - 30 微秒范圍內(nèi)，反之亦然。GTO 的導通和關斷都需要稱為“緩沖器”的保護網(wǎng)絡。導通緩沖器電路本質(zhì)上是電感器，可以限制電流上升的速率。至于關斷，GTO 需要一個限制電壓上升速率的器件，從本質(zhì)上來說就是電容器。日立能源所有的 GTO 都是壓接封裝器件。以大力將 GTO 壓接到散熱器上，而散熱器也當作電源端子的電觸點。
