Reverse Conducting Integrated 

Gate-Commutated Thyristor
5SHX 36L4521

Preliminary

VDRM = 4500 V

ITGQM = 3600 A
ITSM = 20.0·103 A
VT0 = 1.24 V
rT = 0.51 mΩ
VDC = 2800 V

· High snubberless turn-off rating
· Optimized for low on-state losses
· High electromagnetic immunity
· Simple control interface with status feedback

· AC or DC supply voltage

所有日立能源 IGCT（集成門極換向晶閘管）都是壓接封裝器件。以大力將 GTO 壓接到散熱器上，而散熱器也當作電源端子的電觸點。
IGCT 的開/關(guān)控制單元是組件不可分割的一個元件。它只需要外部電源，通過光纖連接便可方便訪問其控制功能。設(shè)備的控制功耗通常在 10 - 100 W 之間。
IGCT 針對低傳導(dǎo)損耗而優(yōu)化。其典型的開/關(guān)頻率在 500 赫茲范圍內(nèi)。然而，與 GTO 相比，上部開關(guān)頻率僅受到操作熱損耗和系統(tǒng)散熱能力的限制。此功能結(jié)合設(shè)備在開/關(guān)狀態(tài)之間的快速轉(zhuǎn)換，能夠?qū)崿F(xiàn)開關(guān)頻率高達 40 kHz 的短開/關(guān)脈沖串。
IGCT 需要導(dǎo)通保護網(wǎng)絡(luò)（本質(zhì)上是電感器）來限制電流上升速率。但是，與 GTO 相比，關(guān)斷保護網(wǎng)絡(luò)是可選的。若以略低的關(guān)斷電流能力為代價，則可以忽略不計。