泰思特EDS 10IC元器件半導體靜電放電發(fā)生器3Ctest/3C測試中國EDS 10IC靜電放電發(fā)生器(EDS 10IC靜電放電發(fā)生器針對人體模型(HBM)和機械模型(MM)的靜電放電抗擾度試驗的特點和要求專門設計，可以對LED、晶體管、IC等半導體器件進行靜電抗擾度的測試。符合IEC、ESDA、JEDEC和MIL等相應標準的要求，同時完全滿足上述所有標準中嚴酷等級的靜電電壓要求。
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3Ctest/3C測試中國EDS 10IC靜電放電發(fā)生器(特點：
全新三代控制平臺 ，觸摸屏智能化控制。
自動識別阻容模塊，并調(diào)整大電壓。
低電壓5V，1V步進調(diào)節(jié)電壓
可完成單次或自動放電測試，可設置次數(shù)、頻率等參數(shù)。
Human Body Model (HBM)
Machine Model (MM)
ESDA ANSI/ ESD STM5.2-2009
JEDEC JESD22- A114E Jan.2007
ANSI /ESD-STM5.1 2007
MIL-STD-883G 28 Feb.2006
ANSI/JEDEC JS-001-2010
JEDEC JESD22- A115C Nov.2010
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技術參數(shù) |
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HBM 短路電流參數(shù) |
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放電電容 |
100 pF |
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放電電阻 |
1500 Ω |
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峰值電流Ips |
0.17 A +10% @250 V 0.33 A +10% @500 V 0.67 A +10% @1000 V 1.33 A +10% @2000 V 2.67 A +10% @4000 V |
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上升時間 |
2 ns~10 ns |
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脈沖寬度 |
150 ns + 20 ns |
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振鈴幅度 |
<15%峰值電流 |
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HBM 500歐電阻電流參數(shù) |
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峰值電流Ipr |
375 mA~550 mA @ 1000V 1.5 A~2.2 A @ 4000V |
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Ipr/Ips |
≥ 63% |
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上升時間 |
5 ns~25 ns |
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MM短路電流參數(shù) |
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放電電容 |
200 pF |
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放電電阻 |
0 Ù |
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峰值電流Ip1 |
0.44 A +20% @25 V 0.88 A +20% @50 V 1.75 A +10% @100 V 3.5 A +10% @200 V 7.0 A +10% @400 V |
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Ip2/Ip1 |
67%~90% |
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周期 |
66 ns~90 ns |
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MM 500歐電阻電流參數(shù) |
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峰值電流Ipr |
0.85 A~1.2 A @ 400 V |
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100 ns電流值 I100 |
0.23 A~0.40 A @ 400 V |
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I200/I100 |
30%~55% |
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通用參數(shù) |
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輸出電壓 |
HBM 5 V~8000 V (5%+5V) MM 5 V~1000V (5%+5V) |
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極性 |
正、負或正負交替 |
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頻率 |
0.1 Hz~5 Hz |
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觸發(fā)次數(shù) |
1~999次 |
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觸發(fā)方式 |
自動，手動，外觸發(fā) |
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輸入電源 |
AC 100 V ~240 V ，+10% 50 Hz /60 Hz |
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環(huán)境溫度 |
15℃~35℃ |
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儲藏溫度 |
-10℃~50℃ |
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相對濕度 |
25%~75% |
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尺寸 |
450 mm x320 mm x190 mm(長x寬x高) |
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重量 |
約10 kg |
