維安 20V P-通道增強模式功率MOS

描述

維安WMQ55P02T1 采用了先進的功率溝槽技術，該技術經(jīng)過特別優(yōu)化，旨在最小化導通電阻，同時保持卓越的開關性能。

特性

Vos=-20V, lD=-55A

Ros（on）< 8.2 @ VGS = -4.5V

Ros（on）<10mΩ @ VGS = -2.5V

綠色設備可用

RoHS 合規(guī)且不含鹵素

高級高細胞密度溝槽技術

100% EAS 保證

應用

電源管理開關

DC/DC 轉換器