維安WM02P60M2 P-Mos
特性:
Vos=-20V, ID= -6A
Rs(on)( < 23mΩ @ Vcs = -4.5V
Rs(on) < 30mΩ @ Vcs = -2.5V
專為極低RDS(on)設(shè)計(jì)的超高密度單元設(shè)計(jì),卓越的串聯(lián)電阻和直流電流能力。
維安WM02P60M2 P-Mos
特性:
Vos=-20V, ID= -6A
Rs(on)( < 23mΩ @ Vcs = -4.5V
Rs(on) < 30mΩ @ Vcs = -2.5V
專為極低RDS(on)設(shè)計(jì)的超高密度單元設(shè)計(jì),卓越的串聯(lián)電阻和直流電流能力。
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