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維安WM02P60M2 P-Mos

  • 發(fā)布時間：2025-06-28 16:28:10,加入時間:2025年06月13日(距今148天)
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維安WM02P60M2  P-Mos

特性：

Vos=-20V, ID= -6A

Rs(on)( < 23mΩ @ Vcs = -4.5V

Rs(on) < 30mΩ @ Vcs = -2.5V

專為極低RDS(on)設計的超高密度單元設計，卓越的串聯(lián)電阻和直流電流能力。

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