物料說明：

晶導微ESDB5V0DS2LP1A旨在保護需要超低電容的電壓敏感元件免受ESD和瞬態(tài)電壓事件的影響。出色的箝位能力、低泄漏和快速響應時間使這些器件成為電路板空間非常寶貴的設計中 ESD 保護的理想選擇。由于其低電容，它適合用于高頻設計，如USB2.0高速和天線線應用。

特性

隔離電壓：5V。

根據(jù)規(guī)定為每條線路提供瞬時保護。

IEC61000-4-2（ESD）: ±30kV （接觸） ±30kV （空氣）

IEC61000-4-5（閃電）：8A （8/20μs）

超低電容：Cj = 15皮法（典型值）。

低泄漏電流