NEW 阻抗分析儀ZA57630
從電子零件、半導(dǎo)體器件到材料的特性評(píng)價(jià)，應(yīng)對(duì)多樣的阻抗測(cè)量需求
基本精度 ±0.08%
頻率范圍 10 µHz～36 MHz
阻抗范圍 10 µΩ～100 GΩ (模式: IMPD-EXT)
阻抗分析儀
NEW 阻抗分析儀ZA57630
“True Value”
測(cè)量真正的特性。
ZA57630
ZA57630
從電子零件、半導(dǎo)體器件到材料的特性評(píng)價(jià)，應(yīng)對(duì)多樣的阻抗測(cè)量需求
基本精度
頻率范圍
阻抗范圍
測(cè)量 AC 信號(hào)級(jí)別
DC 偏置
測(cè)量時(shí)間
測(cè)量參數(shù)
±0.08%
10 µHz～36 MHz
10 µΩ～100 GΩ (模式: IMPD-EXT)
0.01 mVrms～3 Vrms
0.1 µArms～60 mArms
−5 V ～ +5 V/−40 V ～ +40 V (1 kHz以上)
100 mA ～ +100 mA
0.5 ms/point
Z, R, X, Y, G, B, Ls, Lp, Cs, Cp, Rs, Rp, θz, θy, D, Dε, Dµ,
Q, V, I, εs, εs’, εs”,µs, µs’, µs”, FREQUENCY
快速測(cè)量 業(yè)界最快 0.5 ms/point
實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最快的0.5ms/point。
縮短生產(chǎn)線的節(jié)拍時(shí)間，提高測(cè)量作業(yè)的效率。
此外，通過(guò)增加設(shè)定的測(cè)量時(shí)間，使測(cè)量結(jié)果平均化，減輕噪聲的影響�？梢曅枰x擇最合適的測(cè)量時(shí)間。img01
4種測(cè)量模式 應(yīng)對(duì)廣泛的DUT
IMPD-3T
標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量模式
本模式可以在廣泛的頻率范圍內(nèi)進(jìn)行高精度測(cè)量�？墒褂脺y(cè)試線及測(cè)試夾具，應(yīng)對(duì)各種形狀的試樣。img02
IMPD-2T
高頻測(cè)量模式
本模式可以在 10MHz 以上的高頻下進(jìn)行穩(wěn)定的測(cè)量。使用 N 型連接器進(jìn)行 2 端子測(cè)量，即便配線長(zhǎng)，也可以進(jìn)行穩(wěn)定的測(cè)量。img03
IMPD-EXT
外部擴(kuò)展測(cè)量模式
本模式為外部連接放大器或分流電阻等物進(jìn)行測(cè)量。
可以通過(guò)施加高壓信號(hào)或檢測(cè)微小電壓 / 電流進(jìn)行單獨(dú)使用本儀器無(wú)法應(yīng)對(duì)的測(cè)量。img04
G-PH
增益/相位測(cè)量模式
本模式可以測(cè)量濾波器、放大器等的傳輸特性。向被測(cè)電路施加掃描信號(hào)，高精度地測(cè)量其頻率響應(yīng)（增益、相位）。img05
正面面板測(cè)量端子
阻抗分析儀
NEW 阻抗分析儀ZA57630
特點(diǎn)
結(jié)合用途配備豐富的功能！
以最適合DUT特性的設(shè)定，支持高重現(xiàn)性且準(zhǔn)確的測(cè)量。
準(zhǔn)確的評(píng)價(jià)基于實(shí)際使用的操作條件。
電子零件、電子材料可能因測(cè)量頻率及施加的信號(hào)級(jí)別而表現(xiàn)出不同的特性。電容器和電感器存在因寄生成分引發(fā)的頻率依賴(lài)性，二極管等半導(dǎo)體器件由于 DC 偏置疊加而產(chǎn)生特性變化。
要評(píng)價(jià)真實(shí)的特性，重要的是頻率、AC 振幅和 DC 偏置的掃頻，在實(shí)際的操作條件下進(jìn)行測(cè)量。
特點(diǎn)
掃頻
延遲功能
標(biāo)記操作
測(cè)量條件等的設(shè)定
自動(dòng)高密度掃頻
順序測(cè)量
量程
誤差校正
圖表顯示
豐富的功能
共振點(diǎn)跟蹤測(cè)量
相對(duì)介電常數(shù)測(cè)量
外部基準(zhǔn)時(shí)鐘
等效電路估算
相對(duì)導(dǎo)磁率測(cè)量
存儲(chǔ)器操作
壓電常數(shù)計(jì)算
比較器 / 處理器接口
掃頻 頻率、AC 振幅、DC 偏置、零頻寬
AC 振幅掃描
AC amplitude sweep
掃頻
Frequency sweep
DC 偏置掃頻
DC bias sweep
