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ITC55100 ITC75100晶體管圖示儀

  • 發(fā)布時(shí)間:2025-08-15 10:06:58,加入時(shí)間:2025年06月10日(距今67天)
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ITC55100  ITC75100晶體管圖示儀

ITC55100C 型號(hào)是一代的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)系列 ITC55100 測(cè)試儀。該系統(tǒng)是圍繞一個(gè)非常強(qiáng)大的微控制器設(shè)計(jì)的,它的時(shí)序分辨率為40ns,比前代型號(hào)快20倍。其對(duì)峰值和零電流的響應(yīng)時(shí)間提高了十倍。結(jié)合這一功能,可提高充電和雪崩時(shí)間以及報(bào)告的峰值排水電流的準(zhǔn)確性。

ITC55100C 型號(hào)具有雙極柵驅(qū)動(dòng)器作為標(biāo)準(zhǔn)功能。用戶(hù)可以設(shè)置高達(dá) 30V 的總柵極驅(qū)動(dòng)器,并可以選擇 30V 中有多少為正,有多少是負(fù)的。此功能可確保某些設(shè)備在雪崩期間保持狀態(tài)。

ITC55100C 執(zhí)行符合 MIL-STD-750E 方法 3470 的多種類(lèi)型的測(cè)試。方法 3470 通過(guò)強(qiáng)調(diào) P 通道和 N 通道 MOSFET 和 IGBT 到受控能量水平來(lái)測(cè)試它們的能力。這是通過(guò)驅(qū)動(dòng)未夾緊的電感負(fù)載的設(shè)備實(shí)現(xiàn)的。

•單/雙設(shè)備測(cè)試

• N 通道,P 通道,混合

• 所有固態(tài)開(kāi)關(guān) • 無(wú)繼電器

• 40ns 的時(shí)序分辨率

• 電流范圍:0.1A 至 200A,0.1A 步長(zhǎng)

• 阿瓦蘭奇電壓至 2500V

• 雙極柵驅(qū)動(dòng),帶 30V 回轉(zhuǎn)

• 新的高效開(kāi)爾文電路

• 傳統(tǒng)的 UIL 模式(通過(guò) GPIB)

• 觸摸屏程序輸入/控制

• 波形捕獲/顯示

• 內(nèi)部測(cè)試程序存儲(chǔ)(20 個(gè)文件)

• 高速電感充電,縮短測(cè)試時(shí)間

• 可編程泄漏測(cè)試電壓

• 阿瓦蘭切前/后泄漏測(cè)試

• 阿瓦蘭奇坍塌測(cè)試

• 多功能測(cè)試處理程序控制

• 多達(dá) 15 個(gè)硬件排序箱

• 提高電壓/電流精度

• 通過(guò)閃存進(jìn)行軟件更新

• 參數(shù)輸入的密碼控制

• 使用所有 ITC 電感負(fù)載箱運(yùn)行

• 與 ITC55MUX4 和 ITC55-RSF 的接口

• 簡(jiǎn)單、完整的用戶(hù)校準(zhǔn)

• 內(nèi)置自檢

ITC75100 是一種增強(qiáng)的未夾式電感負(fù)載 (UIL) 測(cè)試系統(tǒng),它基于 ITC 行業(yè)領(lǐng)先的 ITC55 系列測(cè)試儀的成功,增加了額外的測(cè)試和測(cè)量能力。

ITC75100 對(duì)功率 MOSFET、IGBT 和二極管進(jìn)行堅(jiān)固性測(cè)試,這些測(cè)試符合 MIL-STD-750 方法 3470,通過(guò)強(qiáng)調(diào)它們達(dá)到受控的能量水平,由驅(qū)動(dòng)未夾緊電感負(fù)載的設(shè)備完成。改進(jìn)的測(cè)試規(guī)范允許完全控制測(cè)試參數(shù)。

特征

• 平板電腦用戶(hù)界面,具有大顯示屏和增強(qiáng)的數(shù)據(jù)處理能力

• 低電流和快速電流波形功能

• 用于 DUT 和接口保護(hù)的內(nèi)部并行能量路徑

• 使用本地柵極驅(qū)動(dòng)器測(cè)量 POD

• 帶 30V 總回轉(zhuǎn)的主動(dòng)?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)

• 在測(cè)試前或測(cè)試后的指定延遲時(shí)間(高達(dá) 250μSec)之前,使用可編程電流源精確測(cè)量 Rdson 在指定電流級(jí)別下使用 Vf 雜物

• 單/雙(需要兩個(gè) POD)設(shè)備測(cè)試

• 波形捕獲/顯示

• 測(cè)試處理程序控制和裝箱

• 內(nèi)置自檢

• 對(duì)所有測(cè)試儀測(cè)量的簡(jiǎn)單用戶(hù)校準(zhǔn)

ITC55100  ITC75100晶體管圖示儀

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