Tektronix 80E08B 是雙通道時(shí)域反射計(jì)(TDR)采樣模塊，80E08B 電模塊zu1多可提供18 ps入射上升時(shí)間。模塊的每條通道都可以產(chǎn)生可在TDR模式下使用的快速階躍，而且，采樣模塊的采集部分會(huì)監(jiān)測(cè)入射階躍和任何反射能量。80E08B 光模塊可獨(dú)立選擇每條通道階躍的極性。這允許在對(duì)隔離線進(jìn)行獨(dú)立測(cè)試的同時(shí)，對(duì)兩條耦合線進(jìn)行差分或共模 TDR 測(cè)試或 S 參數(shù)測(cè)試。每條通道獨(dú)立產(chǎn)生階躍實(shí)現(xiàn)了真正差分測(cè)量，從而確保了差動(dòng)設(shè)備的測(cè)量精度。
Tektronix 80E08B 電采樣模塊是小型、全面集成的獨(dú)立2米遠(yuǎn)程采樣器系統(tǒng)，使得采樣器可放置在 DUT 附近，并確保zu1佳信號(hào)保真度。80E08B 的采樣帶寬為 30 GHz（用戶可選擇30 GHz 或 20 GHz）。這個(gè)模塊通過(guò)使用TDR階躍驅(qū)動(dòng)一條線來(lái)檢定串?dāng)_（或者使用一個(gè)線對(duì)來(lái)檢定差分串?dāng)_），同時(shí)使用另一條通道來(lái)監(jiān)測(cè)另一條線（或另一個(gè)線對(duì)）（或者使用另一個(gè)模塊來(lái)檢定差分串?dāng)_）。
規(guī)格參數(shù)
一、通道數(shù)：2
二、上升時(shí)間：11.7 ps(從0.35帶寬上升時(shí)間乘積計(jì)算)
三、動(dòng)態(tài)范圍：1.0 Vp-p
四、偏移距：±1.1 V
五、zu1大工作電壓：±1.1 V
六、zu1大無(wú)損電壓，直流ACp-p：2.0V
七、數(shù)字化位數(shù)：16位
八、靈敏度范圍：10mV 到1.0 V
九、均方根噪聲，zu1大值：
1.30 GHz:≤410 μV (300 μV)
2.20 GHz: ≤380 μV (280 μV)
十、TDR階躍振幅：250 mV
十一、TDR系統(tǒng)反映上升時(shí)間：20 ps
十二、TDR系統(tǒng)入射上升時(shí)間：18 ps
十三、TDR級(jí)下降幅度：±250 ps
十四、TDR采樣器下降幅度：±250 ps
十五、TDR步zu1大重復(fù)頻率：300 KHz
