產(chǎn)品介紹

背散射電子衍射裝置(EBSD)：是掃描電子顯微鏡(SEM)的附件之一，它能提供如晶間取向、晶界類型、再結(jié)晶晶粒、微織構(gòu)、相辨別和晶粒尺寸測量等完整的分析數(shù)據(jù)。EBSD數(shù)據(jù)來自樣品表面下10-50nm厚的區(qū)域，且EBSD樣品檢測時(shí)需要傾轉(zhuǎn)70°，為避免表面高處區(qū)域遮擋低處的信號，所以要求EBSD樣品表面“新鮮”、清潔、平整、良好的導(dǎo)電性、無應(yīng)力等要求。

在掃描電子顯微鏡（SEM）中，入射于樣品上的電子束與樣品作用產(chǎn)生幾種不同效應(yīng)，其中之一就是在每一個晶體或晶粒內(nèi)規(guī)則排列的晶格面上產(chǎn)生衍射。從所有原子面上產(chǎn)生的衍射組成“衍射花樣”，這可被看成是一張晶體中原子面間的角度關(guān)系圖。

衍射花樣包含晶系（立方、六方等）對稱性的信息，而且，晶面和晶帶軸間的夾角與晶系種類和晶體的晶格參數(shù)相對應(yīng)，這些數(shù)據(jù)可用于EBSD相鑒定。對于已知相，則花樣的取向與晶體的取向直接對應(yīng)。

EBSD具體分析功能

1、微觀組織分析：晶粒尺寸、均勻性、有沒有孿晶及孿晶的體積分?jǐn)?shù)、再結(jié)晶晶粒及亞晶、晶界特性分析、相鑒定及相分布等；

分析思路：主要通過分析取向分布圖實(shí)現(xiàn)，不同顏色晶粒代表不同的取向，晶粒形狀大小反映材料變形或再結(jié)晶情況，根據(jù)相鄰晶粒夾角確定晶界類型，并用不同的顏色將晶界表示出來；

2、取向分析：相鄰晶粒的取向分析，晶粒和相鄰孿晶的取向分析，孿晶及相鄰孿晶的取向分析，織構(gòu)分析、取向差分析；

分析思路：兩個相鄰晶�？梢杂脷W拉角分析，極圖分析等，大范圍晶粒取向用極圖或反極圖分析。

制樣說明：切割，鑲嵌，研磨，機(jī)械拋光、化學(xué)侵蝕、電解拋光。一般電解拋光為主。

可以直接做EBSD數(shù)據(jù)采集的樣品的基本要求：樣品能產(chǎn)生計(jì)算機(jī)可以識別且能正確標(biāo)定的菊池衍射花樣、表面平整、清潔、無殘余應(yīng)力、導(dǎo)電性良好、尺寸合適，數(shù)據(jù)采集處理需提供樣品中各相的物相以及晶體結(jié)構(gòu)及原子占位信息，元素種類等，以及晶體學(xué)信息：晶體學(xué)數(shù)據(jù)庫，ICCD，或者皮爾斯手冊，再就是XRD標(biāo)定用的PDF卡片里面。若不符合直接測試要求，需要選擇合適的制樣方法。