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PL60N02D N溝道MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管

  • 發(fā)布時(shí)間：2023-11-15 15:50:19,加入時(shí)間:2023年08月01日(距今836天)
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  • 聯(lián)系：鄭小姐,手機(jī):13066856246 QQ:2851339680

概述

PL60N02D采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供優(yōu)良的RDS（ON）、低柵極電荷和柵極電壓低至2.5V的操作。本設(shè)備適用于用作電池保護(hù)或其他開(kāi)關(guān)應(yīng)用程序。

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