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GDDR7 Memory Test System

  • 發(fā)布時間:2024-05-16 09:36:21,加入時間:2024年02月28日(距今557天)
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GDDR7 Memory Test System

M5512 GDDR7 Memory Test System

ATE-on-Bench for GDDR7 Characterization and Test

BENEFITS

Fastest time to market: perform deep memory read/write operations and characterize electrical and timing specifications

Most capable PAM3 signaling: leveraging years of expertise in SerDes technology, the PAM3 pin-electronics exceed the requirements of the GDDR7 specifications

Automated: scripting capability ideal for debug tasks, verification, and full‐fledged production screening of devices and system boards

M5512 GDDR7內存測試系統(tǒng)

用于GDDR7表征和測試的臺架ATE

利益

最快上市時間:執(zhí)行深度內存讀/寫操作,并確定電氣和時序規(guī)格

最強大的PAM3信號:利用SerDes技術多年的專業(yè)知識,PAM3引腳電子器件超過了GDDR7規(guī)范的要求

自動化:腳本功能非常適合調試任務、驗證以及設備和系統(tǒng)板的全面生產篩選

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