描述

SA2106是一款針對于雙NMOS的半橋柵 極驅(qū)動芯片，專為高壓、高速驅(qū)動N型功 率MOSFET和IGBT設計，可在高達60V電 壓下工作。

SA2106內(nèi)置VCC（UVLO）保護功能，防 止功率管在過低的電壓下工作，提高效率。

SA2106輸入腳兼容3.3/5.0V輸入邏輯，

集 成防穿通死區(qū)時間為200ns，驅(qū)動能力為 +1.0A/-1.5A。

SA2106采用SOP8和DFN3X3-8封裝。

特性

 懸浮絕對電壓: 60V

 電源電壓工作范圍: 5.0-20.0V

 IO兼容3.3/5V輸入邏輯

 驅(qū)動電流:+1.0A/-1.5A(typ.)

 死區(qū)時間: 200ns (typ.)

 集成VCC欠壓保護

 單線控制集成10k下拉電阻

 SOP8, DFN3X3-8

封裝

典型應用

 馬達驅(qū)動