WD4000無圖晶圓幾何量測(cè)系統(tǒng)自動(dòng)測(cè)量 Wafer 厚度 、表面粗糙度 、三維形貌 、單層膜厚 、多層膜厚 。使用光譜共焦對(duì)射技術(shù)測(cè)量晶圓 Thickness 、TTV 、LTV 、BOW 、WARP 、TIR 、SORI 等參數(shù)， 同時(shí)生成  Mapping  圖； 采用白光干涉測(cè)量技術(shù)對(duì)  Wafer  表面進(jìn)行非接觸式掃描同時(shí)建立表面 3D 層析圖像， 顯示 2D  剖面圖和 3D  立體彩色視圖， 高效分析表面形貌 、粗糙度及相關(guān)  3D  參數(shù)； 基于白光干涉圖的 光譜分析儀， 通過數(shù)值七點(diǎn)相移算法計(jì)算， 達(dá)到亞納米分辨率測(cè)量表面的局部高度， 實(shí)現(xiàn)膜厚測(cè)量功能；  紅外傳感器發(fā)出的探測(cè)光在 Wafer不同表面反射并形成干涉， 由此計(jì)算出兩表面間的距離（即厚度）， 可 適用于測(cè)量 Bonding Wafer 的多層厚度 。該傳感器可用于測(cè)量不同材料的厚度， 包括碳化硅 、藍(lán)寶石 、氮化鎵 、硅等。

WD4000無圖晶圓幾何量測(cè)系統(tǒng)可廣泛應(yīng)用于襯底制造 、 晶圓制造 、及封裝工藝檢測(cè) 、3C  電子玻璃 屏及其精密配件、光學(xué)加工 、顯示面板 、MEMS  器件等超精密加工行業(yè) �？蓽y(cè)各類包括從光滑到粗糙 、低 反射率到高反射率的物體表面， 從納米到微米級(jí)別工件的厚度 、粗糙度 、平整度 、微觀幾何輪廓 、曲率等， 提供依據(jù) SEMI/ISO/ASME/EUR/GBT  四大國內(nèi)外標(biāo)準(zhǔn)共計(jì)  300  余種 2D 、3D 參數(shù)作為評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)。

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

1、非接觸厚度 、三維維納形貌一體測(cè)量

集成厚度測(cè)量模組和三維形貌 、粗糙度測(cè)量模組， 使用一臺(tái)機(jī)器便可完成厚度 、TTV 、LTV、

BOW 、 WARP  、粗糙度 、及三維形貌的測(cè)量。

2、高精度厚度測(cè)量技術(shù)

采用高分辨率光譜共焦對(duì)射技術(shù)對(duì)  Wafer 進(jìn)行高效掃描 。

搭配多自由度的靜電放電涂層真空吸盤， 晶圓規(guī)格可支持至 12 寸 。

采 用  Mapping  跟隨技術(shù)， 可編程包含多點(diǎn) 、 線 、 面的自動(dòng)測(cè)量 。

3、高精度三維形貌測(cè)量技術(shù)

采用光學(xué)白光干涉技術(shù) 、精密  Z  向掃描模塊和高精度 3D  重建算法，Z  向分辨率高可到  0. 1nm；

隔振設(shè)計(jì)降低地面振動(dòng)和空氣聲波振動(dòng)噪聲， 獲得高測(cè)量重復(fù)性 。

機(jī)器視覺技術(shù)檢測(cè)圖像  Mark  點(diǎn)， 虛擬夾具擺正樣品， 可對(duì)多點(diǎn)形貌進(jìn)行自動(dòng)化連續(xù)測(cè)量 。

4、大行程高速龍門結(jié)構(gòu)平臺(tái)

大行程龍門結(jié)構(gòu)  (400x400 x75mm)， 移動(dòng)速度  500mm/s。

高精度花崗巖基座和橫梁， 整體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定 、 可靠 。

關(guān)鍵運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)采用高精度直線導(dǎo)軌導(dǎo)引 、AC  伺服直驅(qū)電機(jī)驅(qū)動(dòng)， 搭配分辨率 0. 1μm   的光柵

系統(tǒng)， 保證設(shè)備的高精度 、 高效率 。

5、操作簡單 、輕松無憂

集 成  XYZ  三個(gè)方向位移調(diào)整功能的操縱手柄， 可快速完成載物臺(tái)平移 、 Z   向聚焦等測(cè)量前

準(zhǔn)工作。

具備雙重防撞設(shè)計(jì)， 避免誤操作導(dǎo)致的物鏡與待測(cè)物因碰撞而發(fā)生的損壞情況 。

具備電動(dòng)物鏡切換功能， 讓觀察變得快速和簡單 。

應(yīng)用場(chǎng)景

1、無圖晶圓厚度、翹曲度的測(cè)量

通過非接觸測(cè)量，將晶圓上下面的三維形貌進(jìn)行重建，強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度、粗糙度、總體厚度變化(TTV),有效保護(hù)膜或圖案的晶片的完整性。

2、無圖晶圓粗糙度測(cè)量

Wafer減薄工序中粗磨和細(xì)磨后的硅片表面3D圖像，用表面粗糙度Sa數(shù)值大小及多次測(cè)量數(shù)值的穩(wěn)定性來反饋加工質(zhì)量。在生產(chǎn)車間強(qiáng)噪聲環(huán)境中測(cè)量的減薄硅片，細(xì)磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次測(cè)量數(shù)據(jù)計(jì)算重復(fù)性為0.046987nm，測(cè)量穩(wěn)定性良好。

懇請(qǐng)注意：因市場(chǎng)發(fā)展和產(chǎn)品開發(fā)的需要，本產(chǎn)品資料中有關(guān)內(nèi)容可能會(huì)根據(jù)實(shí)際情況隨時(shí)更新或修改，恕不另行通知，不便之處敬請(qǐng)諒解。

如有疑問或需要更多詳細(xì)信息，請(qǐng)隨時(shí)聯(lián)系中圖儀器咨詢。