本設(shè)備主要用于半導(dǎo)體刻蝕，能夠兼容離子束刻蝕和反應(yīng)離子刻蝕功能，使用氣態(tài)化學(xué)刻蝕劑與材料產(chǎn)生反應(yīng)來(lái)進(jìn)行刻蝕，并形成可從襯底上移除的揮發(fā)性副產(chǎn)品，通過(guò)真空系統(tǒng)排出，特別適合刻蝕熔融石英、硅、光刻膠、聚酷亞胺( PI) 薄膜、金屬等材料。