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國(guó)產(chǎn)QMI2569銀玻璃導(dǎo)電銀膏芯片封裝玻璃熔封用

  • 發(fā)布時(shí)間:2025-08-05 09:52:27,加入時(shí)間:2023年07月07日(距今760天)
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案例名稱(chēng):國(guó)產(chǎn)QMI2569銀玻璃導(dǎo)電銀膏芯片封裝玻璃熔封用導(dǎo)電膠

應(yīng)用領(lǐng)域及要求: 集成電路封裝、IC玻璃熔封工藝、短期耐高溫400℃以上,可替代進(jìn)口QMI2569,QMI3555R

應(yīng)用點(diǎn)圖片:

解決方案:國(guó)產(chǎn)1023GA銀玻璃導(dǎo)電銀膏

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

本產(chǎn)品是一款燒結(jié)型銀玻璃導(dǎo)電粘結(jié)劑,采用高性能材料及先進(jìn)制造工藝,產(chǎn)品具有高導(dǎo)熱、高導(dǎo)電、拒

水汽性能好的特點(diǎn)。

用途:產(chǎn)品可用于金、銀、鋁、玻璃、陶瓷等材料的粘接或金屬化。

材料及性能

1.主要成分:銀粉、玻璃、有機(jī)載體

2. 產(chǎn)品性能

固化前性能

顏色

目測(cè)

黏度(25℃)

10000-12000 cps

Brookfield CP51@5RPM

比重

4.5±0.2

比重瓶

觸變指數(shù)

3

黏度計(jì)

固化后性能

體積電阻率

5μΩ*cm

四探針?lè)?/p>

導(dǎo)熱系數(shù)

120W/mK

激光閃射法

粘接強(qiáng)度

45MPa

25℃, 4mm*2mm 金-金

離子濃度

Cl -<10ppm (8mg/kg)

*

Na﹢< 6 (5mg/kg)

彈性模量

12Gpa/25℃

DMA

熱膨脹系數(shù)

20ppm

TMA

*將 5  克樣品粉碎至小于 80   目后,再加 50  克去離子水,100℃下回流 24 小時(shí)

2. 固化方法

應(yīng)根據(jù)芯片大小,選擇合適的升溫速率。以下固化方案:

1)從室溫升溫至420℃,升溫速率3-10℃/min。

2)在420℃恒溫8-10min;

3)降至室溫,時(shí)長(zhǎng)20分鐘以上。

3. 可粘接材料

金、銀、硅、陶瓷

國(guó)產(chǎn)QMI2569銀玻璃導(dǎo)電銀膏芯片封裝玻璃熔封用

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