PS5050-1 是一款高性能的高側(cè) OR-ing FET 控制器，適用于冗余電源系統(tǒng)。它通過(guò)

外部 N 溝道 MOSFET 實(shí)現(xiàn)理想的二極管整流功能，可顯著降低傳統(tǒng)二極管整流器帶來(lái)的功率損耗和電壓

降。PS5050-1 提供了快速的電流反轉(zhuǎn)響應(yīng)能力，能夠在 50ns 內(nèi)關(guān)閉 MOSFET，確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可

靠性。

PS5050-1 is a high-performance high side OR ing FET controller，suitable for redundant power systems.

It achieves ideal diode rectification function through external N-channel MOSFET, which can significantly

reduce the power loss and voltage drop caused by traditional diode rectifiers. PS5050-1 provides fast

current reversal response capability, capable of turning off MOSFETs within 50ns, ensuring system stability

and reliability.

二 特性

提供標(biāo)準(zhǔn)版和 AEC-Q100 認(rèn)證版本（PS5050Q0MK-1 結(jié)溫可達(dá) 150°C，PS5050Q1MK-1

結(jié)溫可達(dá) 125°C）。Provide standard and AEC-Q100 certified versions (PS5050Q0MK-1 has a maximum junction

temperature of 150 ° C, PS5050Q1MK-1 has a maximum junction temperature of 125 ° C).

寬輸入電壓范圍：VIN 為 1V 至 75V（VIN < 5V 時(shí)需額外提供 VBIAS）。Wide input voltage range: VIN

is 1V to 75V (VBIAS is required when VIN<5V).

100V 瞬態(tài)耐受能力。 100V transient withstand capability.

內(nèi)置電荷泵驅(qū)動(dòng)外部 N 溝道 MOSFET。 Built in charge pump drives external N-channel MOSFET

快速響應(yīng)：在電流反轉(zhuǎn)時(shí)，響應(yīng)時(shí)間僅為 50ns。Fast response: When the current reverses, the response time

is only 50ns.

2A 峰值柵極關(guān)斷電流。2A peak gate turn off current.

最小 VDS 鉗位，實(shí)現(xiàn)更快的關(guān)斷速度。Minimum VDS clamp for faster shutdown speed.

封裝類(lèi)型：SOT-6（薄型 SOT-23-6）。Packaging type: SOT-6 (thin SOT-23-6).

三 應(yīng)用領(lǐng)域

冗余電源（N+1）的主動(dòng) OR-ing。 Active OR ing of redundant power supply (N+1).

四 描述 PS5050-1/-Q1 高側(cè) OR-ing FET 控制器與外部 MOSFET 配合使用，當(dāng)串聯(lián)在電源中時(shí)，

可作為理想的二極管整流器。該控制器通過(guò)內(nèi)置的電荷泵為外部 N 溝道 MOSFET 提供柵極驅(qū)動(dòng)，并利用

快速響應(yīng)比較器在電流反向流動(dòng)時(shí)迅速關(guān)閉 MOSFET。PS5050-1/-Q1 可連接 5V 至 75V 的電源，并能

承受高達(dá) 100V 的瞬態(tài)電壓。